El 12 de octubre, el presidente de la china CXMT presentó en Shanghai un diseño de DRAM más denso. Tres días después el Kospi cerró 7,57% abajo y detuvo su cotización 20 minutos: el mercado leyó la noticia como una amenaza al oligopolio de la memoria que alimenta las GPUs de IA.
En la 4.ª Integrated Chip and Chiplet Conference, en Shanghai, el presidente de ChangXin Memory Technologies (CXMT), Cao Kanyu, dijo que la empresa prepara un módulo DDR5 RDIMM para servidores basado en una arquitectura de celda DRAM 4F², con lanzamiento antes de que termine 2026 (TechNode, TweakTown). Es un anuncio de la propia empresa: no hay todavía producto en el mercado ni pruebas independientes de rendimiento o rendimiento de fabricación.
En DRAM, "F" es el tamaño mínimo de característica del proceso y el área de cada celda se expresa en múltiplos de F². La mayoría de la DRAM actual usa un diseño de 6F². Pasar a 4F² reduce el área por celda en un tercio y permite meter hasta 50% más celdas en el mismo espacio; las fuentes hablan de un aumento de densidad de 30 a 50%. Para lograrlo se usan transistores verticales de compuerta envolvente y, según las coberturas, se explora hybrid bonding para optimizar por separado las celdas y la lógica periférica.
El 15 de octubre, según IBTimes y CNBC, el Kospi cayó 7,57% hasta 5.554,22 (con un mínimo intradía de -9,29%), activó el circuit breaker de nivel 1 que detuvo la negociación 20 minutos —el décimo del año— y los inversores extranjeros vendieron 3,62 billones de wones (unos 2.680 millones de dólares). Samsung perdió 9,5% y SK Hynix 11,1% ese día. No fue solo CXMT: el IPC de septiembre en EE. UU. (3,7%) elevó el temor a alzas de tasas y circuló la preocupación por un exceso de oferta de memoria desde 2029.
Carlos Montiel es arquitecto de soluciones IA empresarial. Implementa LLMs, Agentes, RAG y orquestadores en empresas de Guatemala y Latinoamérica. Contáctalo para una consultoría.
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